如风岁月，硅是地球上储藏最丰富的材料之一。硅的单体，具有基本完整的点阵结构的晶体。硅片是半导体器件、集成电路和太阳能电池中使用最广泛的材料。

　　目前，硅片主流产品是200mm，逐渐向300mm过渡，研制水平达到400mm～450mm。据统计，200mm硅片的全球用量占60%左右，150mm占20%左右，其余占20%左右。Gartner发布的对硅片需求的5年预测表明，全球300mm硅片将从2000年的1.3%增加到2006年的21.1%。日、美、韩等国家都已经在1999年开始逐步扩大300mm硅片产量。据不完全统计，全球目前已建、在建和计划建的300mm硅器件生产线约有40余条，主要分布在美国和我国台湾等，仅我国台湾就有20多条生产线，其次是日、韩、新加坡及欧洲。

　　硅片直径越大，技术要求越高，越有市场前景，价值也就越高。随着技术的不断进步，对硅片质量的要求也越来越高，特别是对硅抛光片表面质量的要求越来越严。这主要是因为抛光片表面的颗粒、金属沾污、有机物沾污、自然氧化膜、微粗糙度等会严重影响器件的品质和成品率。因此，硅片表面的清洗就成为了半导体材料及器件生产中至关重要的环节。

　　RCA标准清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA实验室首创的，并由此而得名。RCA是一种典型的、至今仍为最普遍使用的湿式化学清洗法，该清洗法主要包括以下几种清洗液。

　　（1）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能把有机物氧化生成CO2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属，但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。

　　（2）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中，同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al、Fe、Zn、Ni等金属，DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用DHF清洗时，在自然氧化膜被腐蚀掉时，硅片表面的硅几乎不被腐蚀。

　　（3）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O 30～80℃ 由于H2O2的作用，硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2)，呈亲水性，硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH 4OH腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中，从而达到去除粒子的目的。在 NH4OH腐蚀硅片表面的同时，H2O2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。

　　（4）HPM (SC-2)：HCl/H2O2/H2 O 65～85℃ 用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污。在室温下HPM就能除去Fe和Zn。

　　由于RCA清洗法使用大量的化学试剂（NH4OH、HCl、H2O2、HF等），大量使用高纯度化学试剂，将增加运行成本，同时也将带来对环境的污染。因此，摸索新的硅片清洗的工艺势在必行。

　　艾森实验室经过多年的探索和研究，研发出ES-375硅晶片专用清洗剂。能够克服RCA清洗的缺点，达到良好的清洗效果。

　　本产品具有以下优点：1.清洗剂中加入了特选的渗透剂，能够降低清洗剂的表面张力，增强清洗剂渗透性，对硅片有很好的清洗效果。2.清洗剂选用有机碱类，根据相似相容原理，能够提高清洗剂对硅片有机物的清洗效果。3.清洗剂中的表面活性剂和渗透剂能够很好的降低清洗剂的表面张力，同时具有水溶性好、渗透性强、无污染等优点。4.清洗剂中的表面活性剂能够增强质量传递，保证清洗的均匀性，降低硅片的表面粗糙度。5.清洗剂中选用高效螯合剂，能够和几十种金属离子形成稳定的螯合物，能有效的去除硅片上的金属离子。6.清洗剂中选用的化学试剂属于非破坏臭氧层物质，满足环保要求。7.工艺流程简单，操作方便，是理想的清洗配套产品。

　　附录：ES-375硅晶片清洗剂

　　1.产品简介

　　＆#61656;  本品是一种硅晶片（多晶、单晶）专用清洗剂，可有效清除线切割、研磨等加工后的污垢；是超声波清洗的最佳选择；

　　2.产品特性

　　2.1 浓缩型产品，低浓度稀释使用，平均清洗成本低；

　　2.2 清洗能力强，通过螯合、络合、剥离等物理和化学作用，使硅晶片表面的污物杂质去除干净；清洗效果好，清洗后硅晶片表面色泽一致，无花斑；

　　2.3 对硅晶片安全无腐蚀；易于漂洗；

　　2.4 性能稳定，在正常贮存条件下，有效期内质量不会变化；运输、储存安全方便。

　　3. 技术参数

　　外观 黄色透明液体 可燃性 不燃 参考温度 50～70℃

　　密度 1.06±0.15 g/ml PH值 12.5±0.5  参考用量

　　沸点 100℃  保质期 2年  使用浓度 5～15%

　　气味 无     执行标准： Q/OCKX001-2007

　　4.用 途

　　适用于硅晶片（包括单晶硅、多晶硅）线切割、研磨等加工后的清洗。

　　5.使用方法

　　适用于刷洗、浸泡、超声波等清洗方式，是进口及国产清洗机理想的配套产品；

　　线切割后的硅晶片先进行清水喷淋以及热水除胶等预处理；将预处理后的硅晶片放入清洗机中，首先是两槽清水常温鼓泡清洗，然后进入二槽配有5%-15%的ES-375清洗剂的超声波清洗机中，加温至50～70℃，清洗3-10min，随即采用二槽纯水漂洗； 洗净后的硅晶片按生产工艺要求实施离心烘干、检验和包装等后续工序；如果ES-375清洗液呈疲劳时，可适当补充一定量的ES-375清洗剂；清洗剂槽建议配有过滤装置以延长槽液的使用寿命，减少颗粒污染，避免划痕提高清洗效果；循环过滤装置建议采用下进水，避免液体运动产生大量泡沫；用户可根据硅晶片污物残留量、污垢组成、清洁度要求、清洗方式、干燥方式等具体情况在线试验，以确定最佳的工艺参数。

　　6.注意事项

　　6.1 避免清洗液长时间直接接触皮肤；如产品溅入眼睛，立即用大量清水冲洗，严重不适时求助医生；

　　6.2少量泄漏可使用拖布水洗，大量泄漏时可使用沙土吸收。

　　7.包装规格

　　25L/桶